沈阳东创贵金属材料有限公司提供沈阳东创节能----复合材料。
在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有---的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系---,过99.995%(4n5)纯度的铜靶,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。







热压法:ito靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后,---复合材料价格,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的压力单轴向加压,淮北---复合材料,同时以1000℃~1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小,烧结温度较低,烧结时间较短。但热压法生产的ito靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均匀,从而影响了生产ito薄膜的均匀性,且不能生产大尺寸的靶。

背靶材料:
无氧铜(ofc)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜,因为无氧铜具有---的导电性和导热性,而且比较容易机械加工。 如果保养适当,无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下,如需要进行高温帖合的条件下,---复合材料谁家好,无氧化铜容易被氧化和发生翘曲, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配,同样也需要使用金属钼作为背靶材料。

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