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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺,纯银零部件生产加工,所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较,铜具有更高的抗电迁移能力及---的电阻率,能够满足!导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题:铜与有机介质材料的附着强度低.并且容易发生反应,导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题,需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物,因此要求阻挡层厚度小于50nm,纯银零部件报价,与铜及介质材料的附着性能---。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的.需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等.但是ta、w都是难熔金属.制作相对困难,如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。






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镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话,靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料,不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时,会产生不同的---破坏效应。

各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,---地满足了各种新型电子元器件发展的需求。
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