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精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。






热压法:ito靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后,有金圆柱靶,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的压力单轴向加压,同时以1000℃~1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小,烧结温度较低,哪里有金圆柱靶,烧结时间较短。但热压法生产的ito靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均匀,从而影响了生产ito薄膜的均匀性,金圆柱靶报价,且不能生产大尺寸的靶。

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