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背靶材料:
无氧铜(ofc)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜,盘锦纯金靶材,因为无氧铜具有---的导电性和导热性,而且比较容易机械加工。 如果保养适当,无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下,如需要进行高温帖合的条件下,无氧化铜容易被氧化和发生翘曲, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配,同样也需要使用金属钼作为背靶材料。







超纯金属,指的化学杂质和物理杂质 (晶体缺陷) 含量的金属。目前主要以化学杂质的含量为标准,常以杂质在金属中总含 量的百万分之几表示 。超纯金属是相对高纯度的金属,一般指金属纯度达到纯度9以上的金属,纯金靶材生产加工,物理杂质的概念才是有意义的。

材料的纯度对其性能,---是微电子学、光电子学性能影响很大,现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作器件。
区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,纯金靶材厂家,一般可达10~10原子/厘米。经切头去尾,纯金靶材回收,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
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