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但是靶材制作困难,这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,---靶材工艺,这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系---。日本的科学家采用bizo作为添加剂,bi2o3在820cr熔化,在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发,这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒,---靶材,这样可以简化前期的工序。







区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,---靶材价格,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,一般可达10~10原子/厘米。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,---靶材厂家,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
在传统产业的应用领域中,对于的需求也随着这些产业的兴衰而出现此起彼落此消彼长,甚至出现行业的淘汰而与无缘,例如照相用胶卷。科技的进步和发展,使传统产业发生剧烈的变迁,也使的供求状况出现急剧的变化,这种变化也是导致了的价格出现剧烈波动的因素之一。然而在传统产业不断的和转型中,依然成为选择的关键性材料,用更和更科学的工艺和手段,把的性能发挥得更---。

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