铂蒸发镀靶材工艺-河南铂蒸发镀靶材-沈阳东创为本

在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有---的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系---，过99.995%（4n5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，河南铂蒸发镀靶材，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

绑定的适用范围

 技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。

建议绑定的靶材：

 ito、sio2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；

 锡、铟等软金属靶；

 靶材太薄、靶材太贵的情况等。

但下列情况绑定有弊端：

 1.熔点低的靶材，像铟、硒等，金属化的时候可能会变软变形；

 2.---靶材，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。