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背靶材料:
无氧铜(ofc)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜,因为无氧铜具有---的导电性和导热性,而且比较容易机械加工。 如果保养适当,无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下,如需要进行高温帖合的条件下,无氧化铜容易被氧化和发生翘曲,有银焊片, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配,同样也需要使用金属钼作为背靶材料。







烧结法: ito靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,压力成型,脱脂,银焊片生产厂家,然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少,本溪银焊片,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ito靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中,银焊片,需求量都很大。

各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定,其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下,金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料,其他金属也有同样的情况,由于杂质存在影响金属的性能。

钨过去用作灯泡的灯丝,由于脆性而使处理上有困难,在适当提纯之后,这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。
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