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精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,哪里有金圆柱靶,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。






绑定的适用范围
技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。
建议绑定的靶材:
ito、sio2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材;
锡、铟等软金属靶;
靶材太薄、靶材太贵的情况等。
但下列情况绑定有弊端:
1.熔点低的靶材,丹东金圆柱靶,像铟、硒等,金属化的时候可能会变软变形;
2.---靶材,一是实际重量易出现分歧,二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料,建议垫一片铜片。

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