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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，吉林2n金靶材，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及---的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，有2n金靶材，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，哪里有2n金靶材，与铜及介质材料的附着性能---。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等．但是ta、w都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

钨-钛（w-ti）膜以及以钨-钛（w-ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，w/ ti 合金具有低的电阻系数、---的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如al 、cu 和ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应，与介质层的粘结性差，易扩散进入si 与sio2 等器件的衬底材料中，2n金靶材价格，并且在较低的温度下会形成金属与si 的化合物， 充当了杂质的角色，使器件的性能大幅度下降。