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精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,宿州银钯靶材,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷,有银钯靶材,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。






超纯金属,指的化学杂质和物理杂质 (晶体缺陷) 含量的金属。目前主要以化学杂质的含量为标准,常以杂质在金属中总含 量的百万分之几表示 。超纯金属是相对高纯度的金属,一般指金属纯度达到纯度9以上的金属,物理杂质的概念才是有意义的。

材料的纯度对其性能,银钯靶材,---是微电子学、光电子学性能影响很大,现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作器件。
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