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水冶提金工艺混法提金:混法提金工艺是一种古老的提金工艺,包银导电辊厂家,既简便,包银导电辊报价,又经济,适于粗粒单体金的回收。我国不少黄金矿山还沿用这一方法。随着黄金生产的发展和科学技术进步,混法提金工艺也不断得到了改进和完善。由于环境保护要求日益严格,有的矿山取消了混作业,为重选、浮选和---化法提金工艺所取代。

在黄金生产中,混法提金工艺仍有其重要的作用,在---均有应用实例。






磁控溅射原理:在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,溅射靶材在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为ar气),磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。

在电场的作用下,ar气电离成正离子和电子,靶上加有一定的负高压,从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大,在阴极附近形成高密度的等离子体,ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面,以---的速度轰击靶面,使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。
纯度是靶材的主要性能指标之一,哪里有包银导电辊,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中,包银导电辊,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umic的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

杂质含量:靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和性元素含量都有特殊要求。
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