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背靶的选择
对材质的要求:一般选用无氧铜和钼靶,银圆柱靶价格,厚度在3mm左右
导电性好:常用无氧铜,无氧铜的导热性比紫铜好;
强度足够:太薄,银圆柱靶厂,易变形,不易真空密封。
结构要求:空心或者实心结构;
厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。
铟焊绑定的流程
1.绑定前的靶材和背板表面预处理
2.将靶材和背板放置在钎焊台上,升温到绑定温度
3.做靶材和背板金属化
4.粘接靶材和背板







金属靶材材质分为:
镍靶、ni、钛靶、ti、锌靶、zn、铬靶、cr、镁靶、mg、铌靶、nb、锡靶、sn、铝靶、al、铟靶、in、铁靶、fe、锆铝靶、zral、钛铝靶、tial、锆靶、zr、铝硅靶、alsi、硅靶、si、铜靶cu、钽靶t、a、锗靶、ge、银靶、ag、钴靶、co、金靶、au、钆靶、gd、---靶、la、钇靶、y、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、nicr、铪靶、hf、钼靶、mo、铁镍靶、feni、钨靶、w等。

精铝经过区熔提纯,银圆柱靶,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,银圆柱靶,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。
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