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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较，有铂蒸发镀靶材，铜具有更高的抗电迁移能力及---的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，铂蒸发镀靶材价格，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，江西铂蒸发镀靶材，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，哪里有铂蒸发镀靶材，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能---。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等．但是ta、w都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

超纯金属，指的化学杂质和物理杂质 (晶体缺陷) 含量的金属。目前主要以化学杂质的含量为标准，常以杂质在金属中总含 量的百万分之几表示 。超纯金属是相对高纯度的金属，一般指金属纯度达到纯度9以上的金属，物理杂质的概念才是有意义的。

材料的纯度对其性能，---是微电子学、光电子学性能影响很大，现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作器件。